MOSFET

En un nMOS de enriquecimiento, con k=28 µA/V², V_T=2V, V_GS=1 V, V_DS=5V, ¿Cuál es el modo de funcionamiento?

• Corte

• Saturación

• Óhmica

• En el límite entre saturación y óhmica

En un nMOS de enriquecimiento, con k=28 µA/V², V_T=2V, V_GS=3V, V_DS=5V, ¿Cuál es el modo de funcionamiento?

• Corte

• Saturación

• Óhmica

• En el límite entre saturación y óhmica

En un nMOS de enriquecimiento, con k=28 µA/V², V_T=2V, V_GS=5V, V_DS=4V, ¿Cuál es el modo de funcionamiento?

• Corte

• Saturación

• Óhmica

• En el límite entre saturación y óhmica

En un nMOS de enriquecimiento, con k=28 µA/V², V_T=2V, V_GS=5V, V_DS=1V, ¿Cuál es el modo de funcionamiento?

• Corte

• Saturación

• Óhmica

• En el límite entre saturación y óhmica

En un nMOS de enriquecimiento, con k=28 µA/V², V_T=2V, V_GS=1V, V_DS=1V, ¿Cuál es el modo de funcionamiento?

• Corte

• Saturación

• Óhmica

• En el límite entre saturación y óhmica

En un nMOS de enriquecimiento, con k=28 µA/V², V_T=2V, V_GS=5V, V_DS=3V, ¿Cuál es el modo de funcionamiento?

• Corte

• Saturación

• Óhmica

• En el límite entre saturación y óhmica

En el circuito V_GG=5V, R_D=100Ω, R_S=100Ω, V_DS=8.4V, I_D=8mA. ¿Cómo podemos incrementar I_D?

• Aumentando V_GG

• Disminuyendo V_GG

• Aumentando R_G

• Disminuyendo R_G

En el circuito V_GG=5V, R_D=100Ω, R_S=100Ω, V_DS=8.4V, I_D=8mA. ¿Cómo podemos reducir I_D?

• Aumentando R_S

• Disminuyendo V_GG

• Aumentando R_D

• Todas son correctas

En el circuito, que representa un MOSFET en óhmica (modelo lineal). V_GG=5V, V_DD=15V, R_D=100Ω, R_DS=50Ω. ¿Cuánto Valdrá V_DS?

• 15V

• 10V

• 5.5V

• 0V

En el circuito, que representa un MOSFET en óhmica (modelo lineal). V_GG=5V, V_DD=15V, R_D=100Ω, R_DS=50Ω. ¿Cuánto Valdrá I_D?

• 0A

• 33mA

• 100mA

• 300mA