Wafer arcing 通常都發生在下列哪一種tool type?

• Dielectric Chamber

  (RIE / MERIE)

• Conductor Chamber

  (TCP/ ICP)

下面哪項不是產生電漿的方式?

• 電磁耦合電漿

  (Magnetic Couple Plasma)

• 變壓耦合電漿

  (Transformer Couple Plasma)

• 感應耦合電漿

  (Inductively Couple Plasma)

• 電容耦合電漿

  (Capacitively Coupled Plasma)

下面哪一種Type 不是Wafer 表面arcing 的特徵?

• 蛇狀

• 蟲狀

• 焦黑痕跡

• 凹陷

本文的介紹中產生Arcing 的type 有幾個?

• 1

• 2

• 3

下列哪一種type 不是產生arcing defect 的機制?

• 由wafer 晶邊的敏感結構使金屬層易裸露

• 局部的瞬態不穩定電漿而引起arcing

• 局部高溫引發arcing

導致wafer 表面arcing 的關鍵因素有哪些?

• Chamber design

• Operator parameter

  (Recipe setting)

• Wafer surface patterning

• Film structure

• 以上皆是