Electrónica Aplicada I - Unidad 2 y 3

Electrónica Aplicada I - Unidad 2 y 3

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11 Qs

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Electrónica Aplicada I - Unidad 2 y 3

Electrónica Aplicada I - Unidad 2 y 3

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Quiz

Instructional Technology

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Daniel Almada

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11 questions

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1.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

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¿Cuál es el circuito equivalente para una seña alterna?

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2.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

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¿Qué configuración es esta?

Emisor común

Seguidor de emisor

Drenador común

Base común

3.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

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¿Qué efectos produce el capacitor de desacoplo?

NO disipar potencia de C.A. sobre la Re

Para mejorar la estabilidad

Para obtener la corriente de polarización deseada

Para que la recta de carga de C.C. coincida con la de C.A.

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

¿Para que es útil tener en cuenta la siguiente relación entre las resistencias?

Para desestimar la corriente inversa de saturación

Para evitar la compensación con diodos

Para estabilizar la tensión base-emisor

Para mejorar la estabilidad del punto de operación ante la variación del B

5.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

¿Para que se coloca el diodo en el circuito de polarización?

Para polarizar en máxima excursión simétrica

Para compensar la dispersión de 1 a 5 del B en la fabricación de un transistor

Para compensar la variación térmica de la Vbe

Para mejorar la corriente inversa de saturación

6.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

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¿Cuál de las siguientes afirmaciones son correctas?

El BJT es un dispositivo controlado por corriente mientras que el FET es controlado por tensión

El transistor FET tiene una sensibilidad mucho más alta a los cambios en la señal aplicada

Uno de los rasgos más importantes del FET es una gran impedancia de entrada.

Los FET son más estables a la temperatura que los BJT

Los BJT son más pequeños en

construcción, lo cual los hace mucho más útiles en IC (circuitos integrados)

7.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

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¿Qué dispositivo electrónico es ?

JFET de canal N

MOSFET de tipo incremental de canal-n

JFET de canal P

MOSFET de tipo decremental de canal-n

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