Pim test 2

Wskaż prawidłowe odpowiedzi, Konuktywność metalu:

• w bardzo niskiej temperaturze jest mała

• w bardzo niskiej temperaturze jest duża

• rośnie wraz ze wzrostem temperatury

• maleje wraz ze wzrostem tempertatury

Wskaż defekty punktowe kryształu

• granica wąskokątowa dwóch ziaren polikrystalicznych

• wakans

• dyslokacja śrubowa

• defekt Frenkla

Materiał X jest dielektrykiem niepolarnym. Wskaż prawdziwe stwierdzenia w odniesieniu do tego materiału

• występuje w nim polaryzacja elektronowa

• jego przenikalność elektryczna maleje ze wzrostem temperatury

• jego przenikalność elektryczna rośnie z częstotliwością zmian pola elektrycznego

• jego względna przenikalność elektryczna jest mała i jest <1

Wskaż mezofazy tworzące strukturę symetryczną warstwową

• smektyczna

• nematyczna

• nematyczna skręcona

• lipotropowa

Należy wyznaczyć przenikalność i współczynnik strat dielektrycznych materiału Z dla częstotliwości f = 1Hz. Wskaż odpowiednie metody

• mikrofalowa

• rezonansowa

• mostkowa

• odpowiedzi Hammona

Aby podnieść dopuszczalne naprężenie styczne w cieczy magnetoreologicznej należy

• zwiększyć ciśnienie hydrostatyczne cieczy

• podgrzać ciecz

• zastosować ciecz dymorficzną

• zwiększyć zawartość surfakantu w cieczy

Rezystywność skrośna dielektryku może osiągać wartość rzędu

• 10^10 [ohma]

• 10^2 [Giga-ohm*m]

• 10^2[Ohm*m]

• 10^14 [ohm/m]

Wskaż prawidłowe odpowiedzi. Fotorezystor półprzewodnikowy

• reaguje wzrostem rezystancji na oświetlenie światłem

• zmniejsza swoją rezystancję po oświetleniu

• jego rezystancja szybko (bo po ok.10 ms) wzrasta po usunięciu oświetlenia

• reaguje zmianą rezystancji tylko na ściśle określoną długość fali

Z podanych substancji wybierz polimery duraplastyczne

• polipropylen

• polimetakrylan metylu

• usieciowany polisiloksan

• polimid

Szerokość przerwy energetycznej w materiale półprzewodnikowym może wynosić

• 0 eV

• 1,0 eV

• 3,39 eV

• 10 eV