SEMICONDUCTORES

El aumento de la resistividad con la temperatura de los metales y aleaciones se debe a:

• El aumento de la velocidad de deriva.

• El aumento del tamaño de estos átomos.

• La disminución de la movilidad de los electrones.

• La disminución de la movilidad de los huecos.

En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al movimiento de:

• Los electrones activados térmicamente.

• Los huecos.

• Los electrones y huecos.

• No hay conducción neta a bajas temperaturas.

En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por:

• La movilidad y la temperatura.

• La temperatura y la concentración de dopante.

• La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido

• La concentración de dopante

En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a:

• Electrones donadores.

• Electrones donadores y electrones activados térmicamente.

• Electrones donadores, huecos y electrones activados térmicamente.

• Huecos y electrones activados térmicamente.

La estructura electrónica de los semiconductores está formada por:

• Dos bandas de energía con algunos estados superpuestos.

• Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de conducción.

• Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía.

• Bandas de valencia y conducción coincidentes.

En los semiconductores, los agentes activos de conducción son:

• Los electrones de la banda de valencia.

• Los huecos de la banda de valencia.

• Los electrones de la banda de conducción.

• Electrones y huecos.

Un semiconductor que contiene elementos químicos con la capa electrónica de valencia diferente a la de los del semiconductor se denomina:

• Extrínseco

• Intrínseco

• Débilmente extrínseco.

• No recibe ningún nombre especial.

Los parámetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrínseco son:

• Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina.

• Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.

• Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores del mecanismo conductor.

• Ninguna es correcta ya que la concentración de portadores de carga es independiente de la temperatura en los extrínsecos.

La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en:

• La diferencia de población electrónica en la banda de conducción.

• La inexistencia de una banda de energía prohibida en el metal separando las bandas de valencia y conducción.

• Un mayor valor de la energía prohibida en el semiconductor que en el metal.

• La inexistencia de banda de valencia en los metales.

Los semiconductores intrínsecos son los que....

• tienen muchas impurezas

• carecen de huecos

• carecen de electrones

• carecen de impurezas