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雙載子電晶體的三個半導體區域濃度最高者為

• 射極

• 基極

• 集極

• 源極

下列有關電晶體的敘述，何者有誤？

• 射極摻雜濃度最高

• 集極面積最大

• 基極寬度最低

• 集極與射極可對調使用

電晶體是

• (A)電流控制元件的主動元件

• (B)電壓控制元件的主動元件

• (C)電流控制元件的被動元件

• (D)電壓控制元件的被動元件

下列關於電晶體的敘述，何者正確？

• (A)電晶體內傳導的電流是由電子移動所形成

• (B)PNP 型電晶體的多數載子是電子

• (C)雜質濃度為射極高於集極

• (D)電晶體是一個單載子元件

有關電晶體的結構與特性，下列敘述何者錯誤？

• 集極寬度大於射極寬度

• 雜質濃度為射極高於集極

• 崩潰電壓為集極接面高於射極接面

• PNP 型電晶體的射極內，電子為多數載子

下列關於一般雙極性接面電晶體之敘述，何者正確？

• 射極摻雜濃度最低且寬度最窄

• 射極摻雜濃度最低且寬度最寬

• 集極摻雜濃度最高且寬度最窄

• 集極摻雜濃度最低且寬度最寬

若電晶體工作於作用區，則電壓特性為

• 射極接面順偏，集極接面順偏

• 射極接面順偏，集極接面逆偏

• 射極接面逆偏，集極接面逆偏

• 射極接面逆偏，集極接面順偏

若電晶體工作於飽和區，則電壓特性為

• 射極接面順偏，集極接面順偏

• 射極接面順偏，集極接面逆偏

• 射極接面逆偏，集極接面逆偏

• 射極接面逆偏，集極接面順偏

若電晶體操作於作用區（主動區）模式下，則電晶體 E、B、C 三端之電壓大小的關係為何？（電晶體為 NPN 型）

• V_E > V_B > V_C

• V_C > V_E > V_B

• V_B > V_C > V_E

• V_C > V_B > V_E

發射多數載子的電極為

• 基極

• 射極

• 集極

• 閘極