SMART ELECTRONIC NIVEL 2

SMART ELECTRONIC NIVEL 2

University

40 Qs

quiz-placeholder

Similar activities

Parcial N°1 - Redes de Computadoras

Parcial N°1 - Redes de Computadoras

University

44 Qs

Repaso Bases de Datos

Repaso Bases de Datos

University

45 Qs

Instituciones de Archivo en Colombia

Instituciones de Archivo en Colombia

University

43 Qs

Exam-ITIL V4

Exam-ITIL V4

University

40 Qs

Quiz inicial

Quiz inicial

University

37 Qs

Primera P. Parcial (Métodos y técnicas de investigación)

Primera P. Parcial (Métodos y técnicas de investigación)

University

35 Qs

Mediciones

Mediciones

University

41 Qs

Motores 4tiempos

Motores 4tiempos

University

40 Qs

SMART ELECTRONIC NIVEL 2

SMART ELECTRONIC NIVEL 2

Assessment

Quiz

Other

University

Hard

Created by

Andres Felipe Rodriguez Cuenca

Used 1+ times

FREE Resource

40 questions

Show all answers

1.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

A un circuito con una bobina en serie con una resistencia se le realiza un barrido de frecuencia desde 10 Hz a 100THz. El comportamiento de la bobina es:

A bajas frecuencias se comporta como un corto y en alta frecuencia como un circuito abierto.

A bajas frecuencias se comporta como un circuito abierto y en alta frecuencia como un corto circuito.

A bajas frecuencias se comporta como un corto y en alta frecuencia también.

A bajas frecuencias se comporta como un circuito abierto y en alta frecuencia también.

2.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

En el proceso de transformación de fuentes, una fuente de corriente con una resistencia en paralelo tendría como equivalencia una:

Fuente de corriente con una resistencia en serie

Fuente de corriente con una resistencia mixta

Fuente de voltaje con una resistencia en serie

Fuente de voltaje con una resistencia en paralelo

3.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

En el circuito de la figura, V= e-0.2t V Calcule la potencia absorbida por el elemento en t = 4 s, si i = 0.1 A.

44,9 mW

44,9 W

4,49 W

0,223 W

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

¿Cuál es la fecha de invención del transistor?

23 de Diciembre de 1947

11 de Agosto de 1974

23 de Abril de 1883

31 de Octubre de 1963

5.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Una dirección IP independiente de la clasificación de la clase, se encuentra conformada por:

12 bits

24 bits

32 bis

36 bits

6.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

¿Qué mecanismo transforma el movimiento rotacional en lineal?

Mecanismo de Ginebra

Biela-Manivela

Piñón-Cremallera

Manivela-Balancín

7.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

30 sec • 1 pt

Media Image

En la siguiente figura la polea conductora D1 posee un diámetro de 4 pulgadas y gira a 1800 RPM. ¿Cuál es la velocidad en la polea conducida D2 si esta posee un diámetro de 12 pulgadas y la eficiencia en la transmisión es del 90?

600 RPM

540 RPM

800 RPM

900 RPM

Create a free account and access millions of resources

Create resources

Host any resource

Get auto-graded reports

Google

Continue with Google

Email

Continue with Email

Classlink

Continue with Classlink

Clever

Continue with Clever

or continue with

Microsoft

Microsoft

Apple

Apple

Others

Others

By signing up, you agree to our Terms of Service & Privacy Policy

Already have an account?