NanoElectr02_Скейлінг

Тунельним струм НЕ зменшується при

• збільшенні товщини діелектрика

• зменшенні діелектричної проникності діелектрика

• зменшенні потенціалу затвору

• переході до класичного режиму провідності

Якщо при скейлінгу рівень легування зростає в 4 рази, то густина інтеграції

• зменшується в 4 рази

• збільшується в 4 рази

• зменшується в 16 разів

• збільшується в 16 разів

Виберіть параметр, який збільшується при скейлінгу

• товщина діелектричного шару

• напруга живлення

• ємність затвору

• максимальна робоча частота

Для покращення властивостей міжшарової ізоляції необхідні

• метали з щонайменшим питомим опором

• діелектрики з малою діелектричною проникністю

• метали з щонайбільшим питомим опором

• діелектрики з великою діелектричною проникністю

Чи шкідливі тунельні струми для нанорозмірних транзисторів, побудованих за класичною схемою?

• Так

• Ні