แบบประเมินผลการเรียน วิชาอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และวงจร 20104-2102

การผลิตสารกึ่งตัวนำชนิด N ต้องเติมธาตุเจือปนอะไรลงไป

• โบรอน

• อินเดียม

• อาร์เซนิก

• อะลูมิเนียม

จากรูปเป็นวงโคจรของสารชนิดใด

• โบรอน

• อินเดียม

• ซิลิคอน

• เจอร์เมเนียม

สารกึ่งตัวนำชนิด P และชนิด N เมื่อนำมาต่อกัน มีผลให้ตรงบริเวณรอยต่อเกิดเป็นอะไร

• บริเวณแบตเตอรี่สมมติ

• บริเวณความต้านทาน

• บริเวณปลอดพาหะ

• บริเวณกำแพงศักย์ไฟฟ้า

การไบอัสตรงแก่ไดโอดคือข้อใด

• ขั้วลบของแบตเตอรี่ต่อกับสาร N ขั้วบวกของแบตเตอรี่ต่อกับสาร N

• ขั้วลบของแบตเตอรี่ต่อกับสาร P ขั้วบวกของแบตเตอรี่ต่อกับสาร N

• ขั้วลบของแบตเตอรี่ต่อกับสาร P ขั้วบวกของแบตเตอรี่ต่อกับสาร P

• ขั้วลบของแบตเตอรี่ต่อกับสาร N ขั้วบวกของแบตเตอรี่ต่อกับสาร P

ความต่างศักย์ไฟฟ้าบริเวณรอยต่อ P–N สำหรับไดโอดชนิดเจอร์เมเนียมมีค่าประมาณเท่าไร

• 0.3 V

• 0.4 V

• 0.7 V

• 2.0 V

• ซีเนอร์ไดโอด

• ไดโอด

• ไดโอดเปล่งแสง

• วาริแคปไดโอด

แถบสีขาวบนตัวไดโอดปกติแล้วจะอยู่ใกล้กับส่วนใด

• Anode

• Cathode

• P–Type

• N–Type

ไดโอดและซีเนอร์ไดโอดมีข้อแตกต่างกันคือ

• ทำงานเมื่อไบแอสตรง

• ทำงานเมื่อไบแอสกลับ

• ทำงานเมื่อแรงดันพังทลาย

• มีขาใช้งานสองขา

เมื่อไบแอสตรงจะส่งผลให้เปล่งแสงคือคุณสมบัติของไดโอดแบบใด

• ซีเนอร์ไดโอด

• ไดโอด

• ไดโอดเปล่งแสง

• โฟโต้ไดโอด

ข้อใดกล่าวได้ถูกต้องเกี่ยวกับโฟโต้ไดโอดมากที่สุด

• ทำงานเมื่อไบแอสกลับ

• สารกึ่งตัวนำชนิดที่มี 2 ขั้ว

• มีแสงที่ตกกระทบบนตัวโฟโต้ไดโอดจะส่งผลให้ค่าความต้านทานภายในเปลี่ยนแปลง

• ทำงานเมื่อไบแอสตรง