Semiconductores en equilibrio térmico (Parte 1)

Semiconductores en equilibrio térmico (Parte 1)

University

10 Qs

quiz-placeholder

Similar activities

SAPGMH 5 diciembre 20

SAPGMH 5 diciembre 20

5th Grade - Professional Development

10 Qs

Estructura de Sistemas Agrícolas

Estructura de Sistemas Agrícolas

University

10 Qs

Coeficiente global de transferencia de calor

Coeficiente global de transferencia de calor

University

10 Qs

Electrònica digital final

Electrònica digital final

University

10 Qs

FÍSICA - Magnitudes Físicas

FÍSICA - Magnitudes Físicas

University

8 Qs

Psicofisiología parcial 2 2023-1

Psicofisiología parcial 2 2023-1

University

13 Qs

TABULANDO Y GRAFICANDO

TABULANDO Y GRAFICANDO

University

5 Qs

Termodinámica

Termodinámica

University

10 Qs

Semiconductores en equilibrio térmico (Parte 1)

Semiconductores en equilibrio térmico (Parte 1)

Assessment

Quiz

Physics

University

Medium

Created by

Física Ozols

Used 6+ times

FREE Resource

10 questions

Show all answers

1.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

¿Cuál/es de las siguientes condiciones son características del equilibrio térmico en el contexto de semiconductores? (Marcar todas las correctas)

No existe una tensión externa aplicada (campo eléctrico aplicado)

La temperatura del sistema es constante

La recombinación es igual a la generación de portadores

La concentración de portadores en cada banda es independiente de tiempo

2.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Si la concentración de electrones en la BC en equilibrio térmico se calcula a partir de n0(x)=NC e(ECEF)kTn_0\left(x\right)=N_C\ e^{-\frac{\left(E_C-E_F\right)}{kT}} .¿Qué aproximaciones se han realizado?

Se considera que (ECEF)>>kT\left(E_C-E_F\right)>>kT (aproximación de Maxwell-Boltzmann)

Se considera que (EFEV)>>kT\left(E_F-E_V\right)>>kT (aproximación de Maxwell-Boltzmann)

Aproximación parabólica de la relación de dispersión en el fondo de la BC para el cálculo de g(E)g(E)  

Aproximación parabólica de la relación de dispersión en el tope de la BV para el cálculo de g(E)g(E)  

3.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Si la concentración de huecos en la BV en equilibrio térmico se calcula a partir de p0(x)=NV e(EFEV)kTp_0\left(x\right)=N_V\ e^{-\frac{\left(E_F-E_V\right)}{kT}} . ¿Qué aproximaciones se han realizado?

Se considera que (ECEF)>>kT\left(E_C-E_F\right)>>kT (aproximación de Maxwell-Boltzmann)

Se considera que (EFEV)>>kT\left(E_F-E_V\right)>>kT (aproximación de Maxwell-Boltzmann)

Aproximación parabólica de la relación de dispersión en el fondo de la BC para el cálculo de g(E)g(E)  

Aproximación parabólica de la relación de dispersión en el tope de la BV para el cálculo de g(E)g(E)  

4.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

20 sec • 1 pt

Para un semiconductor intrínseco la concentración de electrones en la BC es igual a la concentración de huecos en la BV

Verdadero

Falso

5.

MULTIPLE SELECT QUESTION

45 sec • 1 pt

Para la concentración intrínseca de portadores nin_i se cumple que (marcar todas las correctas):

Depende fuertemente de la temperatura.

Para una temperatura constante, el valor de nin_i es constante e independiente de la energía de Fermi.

Para una temperatura T=0 KT=0\ K , ni0n_i\ne0 .

Depende del gap de energía del material.

6.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

20 sec • 1 pt

La energía de Fermi intrínseca difiere considerablemente en valor con respecto a la energía de midgap.

Verdadero

Falso

7.

MULTIPLE CHOICE QUESTION

20 sec • 1 pt

Un semiconductor con dopaje no uniforme puede estar en equilibrio térmico

Verdadero

Falso

Create a free account and access millions of resources

Create resources
Host any resource
Get auto-graded reports
or continue with
Microsoft
Apple
Others
By signing up, you agree to our Terms of Service & Privacy Policy
Already have an account?